近期，小米、VIVO、OPPO的手机快充“黑科技”纷纷来袭。 7月13日，OPPO以预告形式官宣125W超级闪充，率先进入超百瓦快充时代，125W快充将于7月15日亮相。这意味着，过去最快需要半小时充满的手机电池，今后将缩短到10~15分钟。 iQOO也在日前预告了自家百瓦快充技术，将于8月发布的iQOO新晋旗舰会应用120W超快闪充技术。 在MWCS2019展会上亮相的VIVO120W超快闪充技术今年也将正式落地。 小米去年就曾对100W快充进行过演示，小米集团副总裁卢伟冰曾明确表示100W快充技术已经进入可成熟量产的前期，商用只是时间问题。 手机厂商即将进入 百瓦快充时代 随着手机使用时间不断增长，在保证轻薄的前提下如何增强手机续航，已成为各大厂商的攻关方向，其中一个就是加快手机的充电速度。 6月28日，知名数码博主@数码闲聊站的一条微博，暗示了小米100W快充即将全球首发。加上日前已经官宣的OPPO125W快充，即将正式落地的VIVO120W超快闪充，国产手机三大厂都即将进入百瓦快充时代。 其他手机巨头也在布局快充领域。华为9月发布的旗舰Mate40系列预计支持65W快充。联想预计于7月22日正式发布的拯救者电竞手机将采用90W快充技术。 根据市场调查机构BCC Research于2018年8月发布的数据报告显示，2017年全球快速充电器市场规模为17.27亿美元，占有线充电器市场规模的20.2%。到2022年将增长至27.43亿美元，年均复合增长率为9.69%。 东吴证券指出，目前业界已推出多种快充技术方案，包括高通Quick Charge技术、OPPO VOOC闪充技术、联发科PumpExpress技术、华为Super Charge技术、VIVO Super Flash Charge 技术和USB 3.1 PD充电技术等。 随着智能手机等应用市场对快充产品需求持续提升，快充产业将保持高速发展趋势，相关产业链公司有望受益。 氮化镓快充正在风口 量产势头正起 2019年10月，OPPO发布的Reno Ace标配的65W超级闪充的充电器，就使用了GaN(氮化镓)技术，OPPO也成为了全球第一个在手机充电器中导入GaN技术的厂商。 小米在今年2月发布了65WGaN充电器，小米也成为第一家将GaN USB PD快充单独零售的品牌手机企业。 今年5月，魅族发布了超充GaN三口充电器，7月10日开售。该充电器采用新一代GaN基材主控芯片，每个接口单独使用输出功率最高可达65W，体积却仅有传统65W充电器的65%。 华为也在今年4月公布了65WGaN充电器，已经有数码博主曝光其包装盒与外观，距离正式发售已经不远。 GaN作为第三代半导体材料，具备电阻低，电导损耗小，开关频率高等特点。应用在充电器上，不仅在缩减体积重量的同时提高充电效率，工作时发热量也会更低，减少发热，使大功率充电更安全。 华创证券指出，此次OPPO即将商用的125W超级闪充技术，较大可能会采用GaN(氮化镓)材料。GaN作为第三代半导体材料，对实现快充大有可为，其具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点，能够在高温高电压的环境下运作，非常适合应用于高频高功率的元件中，由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。 随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。国内GaN产业链加紧布局，有望迎来发展机遇。 据Yole Development统计，2018年GaN功率器件国内市场规模约为1.2亿元，尚处于应用产品发展初期，但未来市场空间有望持续拓展，在市场乐观预期下，2023年GaN功率电子市场规模有望达到4.24亿美元。机构认为GaN器件在射频领域以及在功率领域，未来将会出现较大增长。 哪些上市公司 有望从中受益？ 中信建投（601066）看好氮化镓射频、功率器件、深紫外LED芯片全布局的三安光电（600703），看好GaN器件代工的海特高新（002023），看好车规GaN电源供应商闻泰科技（600745），建议关注华灿光电（300323）、士兰微（600460）等。 中泰证券（600918）建议重点关注上市公司三安光电、耐威科技、海特高新、闻泰科技等。三安光电旗下子公司三安集成已经能提供成熟的GaN射频/功率代工工艺，在国内产业链中占据重要地位。耐威科技旗下子公司聚能晶源已成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”，相关项目一期已于2019年9月投产。海特高新具备六英寸GaN代工能力，主要布局硅基GaN。闻泰科技具备GaN器件制备能力，在车用GaN器件领域拓展迅速，处于行业第一梯队。同时关注其他功率半导体企业及LED芯片企业在GaN材料的延伸布局。 华西证券（002926）认为，GaN领域的投资机会将呈现由点到面，多领域相互促进的态势。第一，GaN充电器已经走进消费电子，将迎来快速爆发；第二，疫情过后，国内市场5GSub-6GHz基站建设需求加速回补，美国市场5G毫米波建设如期推进，全球5G基站建设将刺激射频GaN和电源GaN的应用普及；第三，随着GaN产品在消费电子渗透率提升和5G基建刚需的带动下，成本下降，应用场景将进一步扩大到新能源汽车、激光雷达、数据中心等，从而刺激功率半导体市场繁荣。 受益公司包括但不限于：GaN代工：三安光电；电源驱动芯片：圣邦股份（300661）、富满电子（300671）；协议芯片：瑞芯微（603893）、全志科技（300458）；平面变压器、共模电感：顺络电子（002138）；TypeC连接器：立讯精密（002475）、长盈精密（300115）、电连技术（300679）；充电器代工：领益智造（002600）；射频芯片设计：卓胜微（300782）；毫米波T/R芯片模组：和而泰（002402）；功率半导体：捷捷微电（300623）、士兰微等；半导体设备：北方华创（002371）；12英寸大硅片：中环股份（002129）；硅片衍生设备：晶盛机电（300316）。 成都商报-红星新闻记者 袁野 吴丹若
杨杰科技19日晚发布定增预案，拟募资15亿元，其中13亿元用于智能终端用超薄微功率半导体芯片封测项目，2亿元用于补充流动资金。 对于此次定增，公司认为，因终端产品不断向小型化、轻薄化、高性能等趋势发展，市场对微型化集成电路和分立器件的需求不断提升，先进的封装测试技术在半导体产业链中的重要性越发突出。 杨杰科技表示，公司本次募集资金投资的智能终端用超薄微功率半导体芯片封测项目将进一步提升公司在功率半导体领域的微型封装优势，封装产品尺寸体积小、重量轻、电热性能优等特点更为显著，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式智能终端领域技术优势更加明显。 根据定增方案，智能终端用超薄微功率半导体芯片封测项目将采用FBP平面凸点式封装、SOT小外形晶体管封装、SOD小外形二级管封装等封装技术，建成投产后将新增智能终端用超薄微功率半导体器件2000KK/月的生产能力，所生产的功率器件产品可广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等，在智能手机及穿戴设备等智能终端领域以及5G通信、微波通信领域有着广泛应用。 据悉，该项目建设周期为3年，项目投产后，预计产能完全释放后正常年营业收入13.13亿元，利润总额2亿元。
财联社5月21日讯，据人民网发布的中国统一战线新闻网联合中国共产党新闻网推出的“2020年全国两会各民主党派提案选登”报道显示，民进中央拟提交“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”。 提案中提到，当前从全球功率半导体市场看，一方面传统的硅材料功率半导体仍然有巨大的发展空间，另一方面以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料正蓬勃发展，而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器件研发起步晚，在技术上仍有很大差距。可喜的是，在国家多项科研计划的扶持下，这方面已经大幅缩小了与国际的技术差距，并取得了不少成就。 随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用的不断涌现以及节能减排需求日益迫切，我国功率半导体有庞大的市场需求，容易催生新产业新技术，在国家政策利好下，功率半导体将成为“中国芯”的最好突破口。 为此，民进中央建议： 一、进一步完善功率半导体产业发展政策，大力扶持硅材料功率半导体芯片技术攻关，立项支持硅材料功率半导体材料、芯片、器件等设计和制造工艺流程技术。经过多年布局和发展，我国在硅材料 IGBT芯片技术方面有一定的技术基础和沉淀，可以将集中突破硅材料6代功率芯片产品设计及批量制造工艺技 术作为发展重点，采取先易后难、解决“有无”问题的发展策略，尽快实现功率半导体芯片自主供给。 二、加大新材料科技攻关。大数据传输、云计算、AI 技术、物联网，包括下一步的能源传输，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，大功率芯片的市场需求非常大。从产业发展趋势看，碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体优势明显，是下一代功率半导体的核心技术方向。 目前碳化硅、氮化镓市场处于起步阶段，国内厂商与海外传统巨头之间差距较小，国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车。 一是要把功率半导体新材料研发列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点； 二是引导企业积极满足未来的应用需求，进行前瞻性布局。推动功率半导体龙头企业着力攻克一批产业发展关键技术、应用技术难题，在国际竞争中抢占先机； 三是要避免对新概念的过热炒作。新材料从发现潜力到产业化，需要建立起高效的产学研体系，打造更加开放包容的投资环境。 三、谨慎支持收购国外功率半导体企业。通过收购很难实现完全学会和掌握国际先进的功率半导体芯 片设计及制造工艺技术，同时海外工厂制造的产品仍然存在着无法出口到中国的危险。
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