第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。目前，第三大半导体材料市场呈现出美日欧玩家领先的格局。以碳化硅为例，美国全球独大，占据全球碳化硅产量的70-80%；欧洲拥有完整的 SiC 衬底、外延片、器件以及应用产业链，日本则是设备和模块开发方面的领先者。相比之下，中国的第三代半导体产业稍显贫弱，在技术领先度、市场份额占比等方面较落后。 有消息称，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业独立自主。 国内第三代半导体产业的建设也在加码。2020年7月20日，投资160亿元、占地面积1000亩的“三安光电（600703）第三代半导体产业园”，在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的碳化硅衬底、外延、芯片及封装产业生产基地，也将建设我国首条碳化硅全产业链产线，这也意味中国迈出了第三代半导体材料“全自研”过程中的一步。而在此之前，华为旗下的哈勃科技投资有限公司出手投资了国内领先的第三代半导体材料公司，该公司是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。 据市场分析机构赛迪顾问统计，2019年在射频器件领域氮化镓占比超过30%，氮化镓市场规模约5.6亿美元；到2025年，氮化镓在射频器件领域占比有望超过50%，市场规模有望冲破30亿美元。碳化硅方面，2019年全球碳化硅市场规模约5.4亿美元，在2025年有望达到30亿美元，汽车市场将成为碳化硅市场规模增长的重要驱动力。5G、智慧交通、新能源已经成为全球发展的方向，而碳化硅、氮化镓的市场潜力还远未被全部挖掘。 相关上市公司： 露笑科技（002617）：已与合肥市长丰县签署战略合作框架协议，未来公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，项目投资总规模预计100亿元； 三安光电：近年来不断布局氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）等产品陆续出货，正式宣告跨界氮化镓领域； 有研新材（600206）：积极推进半导体靶材、稀土磁材、红外光学材料、生物医用材料等重点领域发展。
芯片国产化任重道远，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料正受到市场越来越多的关注。8月9日晚间，露笑科技公告称，公司于8月8日与合肥市长丰县人民政府签署了《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。 该产业园将落地合肥市长丰县，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。 值得一提的是，根据战略框架协议，合肥市长丰县人民政府将为碳化硅产业园项目提供优惠政策、资金（包括但不限于股权、债权投资）支持；提供土地、基础设施配备、用工等保障，对项目投资建设及运营提供必要的支持与协助；依法保障公司的合法权益，为项目投资提供便利条件。 据了解，集成电路是安徽合肥的重要培育产业，此次共同打造碳化硅产业园项目，长丰人民政府有望发挥其国有资本引导、放大作用，在资金、政策、资源等各方面为上市公司提供支持，并加速推动当地的产业转型升级。 此外，就在前不久的7月30日，露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目在浙江绍兴诸暨开工，该项目计划总投资6.95亿元，生产碳化硅衬底片等产品，对于满足国内快速增长的4英寸、6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片市场需求，促进衬底片质量与成品率水平的提升将发挥较为重要的作用。 随着新建碳化硅衬底片产业化项目的开工与此次战略合作意向的达成，露笑科技在碳化硅产业的布局将进一步加大，未来公司有望形成长晶炉制造到衬底片生产的完整产业链，给公司带来新的业绩增长点。 根据产业研究机构Yole的相关预测，碳化硅功率半导体市场产值到2024年将达到19.3亿美元，该市场在2018年到2024年之间的年复合成长率将达到29%。业内人士分析认为，半导体碳化硅衬底及芯片具有重要战略价值，并且由于半绝缘衬底具备高电阻的同时可以承受更高的频率，在5G通讯和新一代智能互联的时代，将具备更为广阔的应用空间。 财通证券研报指出，碳化硅作为第三代半导体高压领域的理想材料，市场应用空间广阔，发展势头迅猛。露笑科技在原有蓝宝石设备长期技术积累基础上，与中科钢研合作研发碳化硅晶体生长设备，处于目前国内研发第一梯队。公司计划定增募资投资碳化硅项目，并与中科钢研、国宇中宏达成战略合作，碳化硅业务有望成为未来公司业绩增长新亮点。
露笑科技公告，公司于2020年8月8日与合肥市长丰县人民政府签署战略合作框架协议，公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。
又有一家半导体材料公司冲刺科创板，它就是北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称天科合达）。 天科合达主要生产第三代半导体材料——碳化硅晶片，2018年，公司导电型晶片的全球市场占有率排名国内第一。 值得一提的是，天科合达背后的股东包括华为以及“大基金”。若天科合达成功上市，A股版图又将增添一家“大基金”概念股。最近两年的芯片行情中，有“大基金”持股的北方华创、兆易创新等被市场爆炒。 不过，据天科合达的招股书（申报稿），碳化硅单晶生长炉今年一季度的产能利用率较低，仅有21.33%，而在公司的主要产品中，碳化硅单晶生长炉毛利率最高。 数据来源：记者整理视觉中国图刘红梅制图 固定资产增长来自厂房 7月，天科合达的科创板申请已获受理。 天科合达是一家半导体材料的生产商。据天科合达介绍，公司是国内最早实现碳化硅晶片产业化的企业，在国内率先成功研制出6英寸碳化硅晶片，相继实现2英寸至6英寸碳化硅晶片产品的规模化供应。不难发现，天科合达的生产领域位于半导体最上游。 所谓碳化硅晶片，经外延生长后主要用于制造功率器件、射频器件等分立器件。它的下游市场包括新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通等。比如根据IHSMarkit数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。 从主营收入的结构看，碳化硅晶片、其他碳化硅产品、碳化硅单晶生长炉是天科合达的主要产品，2019年分别占比48.12%、36.65%、15.23%。 从2017~2019年的财务数据看，伴随天科合达营收和净利润的增长，资产规模和负债规模也在增长。2017~2019年，公司营业收入从2406.61万元增长至2019年的1.55亿元；净利润从亏损2034.98万元变为盈利3004.32万元。与此同时，公司的总资产从2017年末的1.62亿元增长至2019年末的7.12亿元，归属于母公司所有者权益从1.31亿元增长至3.4亿元。 《每日经济新闻》记者注意到，天科合达的固定资产项增长很快，2018年的固定资产为7121.42万元，2019年的固定资产金额就达到了2.64亿元。与此同时，天科合达的在建工程从2018年的921.81万元增长到2019年的9951.27万元。如果天科合达的固定资产增长来自在建工程转固，那么一般来说，2018年在建工程的数据理应很高。对比来看，天科合达的固定资产增长不符合这一逻辑。那它固定资产突然增长的原因在哪里？ 天科合达在招股书（申报稿）里解释，这主要是公司于2018年9月与徐州经济技术开发区管理委员会签订的《项目投资协议》及补充协议，徐州经济技术开发区管理委员会负责为公司在徐州经开区电子信息产业园投资建设碳化硅晶片项目新建约26000平方米厂房，由江苏天科合达免费租赁使用5年，租赁期开始的5年内，天科合达承诺将收购该厂房及土地。鉴于厂房尚未完成建设成本审计，公司以徐州经济技术开发区管理委员会出具的已发生的建设成本估计金额1.48亿元作为暂估入账价值确认该厂房为固定资产。 “大基金”持股占5.08% 2017~2019年，天科合达营收规模持续增长，但有一半业务来自前五大主要客户（2017年例外）。2019年，公司前五大客户合计实现营收8915.79万元，占比57.46%。天科合达的前五大客户中包含了中电化合物半导体有限公司、三安集成等。 《每日经济新闻》记者注意到，2017~2019年，天科合达的毛利率逐渐提高，2019年毛利率为35.02%。但从细分产品类别看，碳化硅单晶生长炉的毛利率较高，达到61.52%，主营收入碳化硅晶片的毛利率仅有19.46%。实际上，碳化硅晶片2019年的毛利率水平还是依靠天科合达的规模生产，2018年，该产品毛利率仅有13.49%。 从产能利用率来看，天科合达毛利率更高的碳化硅单晶生长炉，今年一季度的产能利用率较低。2018年、2019年，天科合达碳化硅单晶生长炉的产能利用率分别为53.33%、93.33%。而在今年一季度，天科合达碳化硅单晶生长炉的产能利用率仅有21.33%。 对于这一变化，《每日经济新闻》记者致电了天科合达证券部。对方表示，参照招股书（申报稿），现在公司不方便接受采访。 “从一季度看，天科合达整体的产能在提升，但产能利用率的波动可能会被关注到。”上海新古律师事务所王怀涛律师表示。 不过天科合达最被关注的还是背后的股东，其中“大基金”持有933万股，持股比例为5.08%。“大基金”即国家集成电路产业投资基金股份有限公司，在2019年认购天科合达的股份，增资价格为6元/股。天科合达表示，公司引进“大基金”作为战略投资者，主要是探讨开展碳化硅半导体产业链合作和市场建设等。同“大基金”一同增资认购的还有华为全资子公司哈勃科技投资有限公司，持股比例为4.82%。
三安光电今天披露，6月15日，公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》，公司拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目，投资总额160亿元。 三安光电是国内产销规模最大的LED 外延片及芯片生产企业，正积极拓展射频、光通讯、电力电子等集成电路芯片业务。 据披露，该项目拟投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，将研发、生产及销售6 吋SIC 导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET 外延、SIC 二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。 双方约定，在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内，三安光电将完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内实现达产。 据了解，该项目主要下游方向是集成电路的电力电子板块。三安光电2019年年报显示，公司集成电路电力电子产品推出的高功率密度碳化硅功率二极管及MOSFET 及硅基氮化镓功率器件主要应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等电源市场，客户累计超过60家，27种产品已进入量产阶段。
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